- Panoramica
- Descrizione del prodotto
Informazioni di Base.
Model No.
OSG80R300JF
Elaborazione del segnale
Analogico Digitale Composito e Funzione
Tipo
Semiconduttore di tipo N
applicazione 1
caricabatteria ev
applicazione 2
illuminazione a led
applicazione 3
potenza per le telecomunicazioni
applicazione 4
solare/up
applicazione 5
potenza del server
applicazione 6
alimentazione pc
marchio
orientalsemi
Pacchetto di Trasporto
Air
Marchio
orientalsemi
Origine
Repubblica Popolare Cinese
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
Over 1kk/Month
Descrizione del Prodotto
Descrizione generale
Il MOSFET ad alta tensione utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per ottenere una resistenza all'accensione eccezionale e una carica di gate inferiore. È progettato per ridurre al minimo le perdite di conduzione, fornire prestazioni di commutazione superiori e una robusta capacità a valanga. La serie Generic è ottimizzata per prestazioni di commutazione estreme per ridurre al minimo le perdite di commutazione. È progettato per applicazioni ad alta densità di potenza per soddisfare i più elevati standard di efficienza.
Caratteristiche
RDS( ON) E FOM BASSI
Perdita di commutazione estremamente bassa
Stabilità e uniformità eccellenti
Applicazioni
Illuminazione a LED
Potenza per telecomunicazioni
Solare/UPS
Potenza del server
Alimentazione PC
Caricabatteria EV
Parametri chiave delle prestazioni
| Parametro | Valore | Unità |
| VDS , min @ Tj(max) | 850 | V |
| ID , polso | 45 | R |
| RDS(ON) , MAX @ VGS=10V | 300 | MΩ |
| QG | 23.3 | NC |
Informazioni di contrassegno
| Nome prodotto | Pacchetto | Marcatura |
| OSG80R300JF | PDFN 8×8 | OSG80R300J |
Informazioni su pacchetti e pin
Valori nominali massimi assoluti a Tj=25°C , salvo diversa indicazione
Caratteristiche termiche
Caratteristiche elettriche a Tj=25°C , salvo diversamente specificato
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Tensione drain-source | VDS | 800 | V |
| Tensione gate-source | VGS | ±30 | V |
| Corrente di scarico continuo1) , TC=25 °C. | ID | 15 | R |
| Corrente di scarico continuo1) , TC=100 °C. | 9.5 | ||
| Corrente di scarico pulsata2) , TC=25 °C. | ID , polso | 45 | R |
| Corrente continua di diodo in avanti 1) , TC=25 °C. | È | 15 | R |
| Diodo a impulsi corrente 2) , TC=25 °C. | È , impulso | 45 | R |
| Dissidenza di alimentazione3) , TC=25 °C. | PD | 151 | W |
| Energia a valanghe pulsata5) | EAS | 360 | MJ |
| Resistenza dv/dt MOSFET , VDS=0…480 V. | dv/dt | 50 | V/ns |
| Diodo retromarcia dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 15 | V/ns |
| Temperatura di funzionamento e di stoccaggio | Tstg, Tj | da -55 a 150 | °C |
Caratteristiche termiche
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Resistenza termica , scatola di giunzione | RθJC | 0.83 | °C/W |
| Resistenza termica, ambiente di giunzione 4) | RθJA | 62 | °C/W |
Caratteristiche elettriche a Tj=25°C , salvo diversamente specificato
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Scarico-sorgente tensione di scarica | BVDSS | 800 | V | VGS=0 V, ID=250 ΜA | ||
| 850 | VGS=0 V, ID=250 μA, Tj=150 °C. | |||||
| Soglia gate tensione | VGS(th) | 2.9 | 3.9 | V | VDS=VGS , ID=250 ΜA | |
| Resistenza di stato di attivazione drain-source | RDS(ON) | 0.24 | 0.3 | Ω | VGS=10 V, ID=7.5 A. | |
| 0.64 | VGS=10 V, ID=7.5 A, TJ=150 °C. | |||||
| Gate-source corrente di dispersione | IGS | 100 | Na | VGS=30 V. | ||
| - 100 | VGS=-30 V. | |||||
| Scarico-sorgente corrente di dispersione | IDS | 5 | μA | VDS=800 V, VGS=0 V. | ||
| Resistenza del gate | RG | 18.2 | Ω | ƒ=1 MHz, open drain |
Caratteristiche dinamiche
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Capacità di ingresso | CISS | 1552 | PF | VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz | ||
| Capacità di uscita | COSS | 80.1 | PF | |||
| Capacità di trasferimento inversa | CRS | 2.1 | PF | |||
| Tempo di ritardo di attivazione | td(on) | 33.6 | n/s | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=7.5 A. | ||
| Tempo di salita | tr | 20.3 | n/s | |||
| Ritardo di disattivazione | td(off) | 57.9 | n/s | |||
| Tempo di caduta | tf | 4.5 | n/s |
Caratteristiche di carica del gate
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Costo totale gate | QG | 22.7 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=7.5 A. | ||
| Carica gate-source | DGS | 8.6 | NC | |||
| Carica gate-drain | QGD | 2.3 | NC | |||
| Tensione plateau gate | Vplateau | 5.5 | V |
Caratteristiche del diodo corpo
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Tensione di avanzamento diodo | VSD | 1.3 | V | IS=15 A, VGS=0 V. | ||
| Tempo di recupero inverso | trr | 313.7 | n/s | VR = 400 V, IS=7.5 A, Di/dt=100 A/μs | ||
| Carica di recupero inversa | Qr | 4.2 | μC | |||
| Corrente di recupero inversa di picco | Irrm | 25.2 | R |
Nota
1) corrente continua calcolata in base alla temperatura massima ammissibile della giunzione. 2) valore nominale ripetitivo; ampiezza impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
3) Pd si basa sulla temperatura di giunzione massima , utilizzando la resistenza termica della scatola di giunzione.
4) il valore di RθJA viene misurato con il dispositivo montato su una scheda FR-4 1 in 2 con 2oz. Rame , in ambiente tranquillo con Ta=25 °C.
5) VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 MH, Tj iniziale =25 °
Catena di fornitura
Dichiarazione di prodotto verde
