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- Descrizione del prodotto
Informazioni di Base.
Descrizione del Prodotto
Descrizione generale
Il MOSFET ad alta tensione GreenMOS® utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per ottenere una resistenza all'accensione eccezionale e una carica di gate ridotta. È progettato per ridurre al minimo le perdite di conduzione, fornire prestazioni di commutazione superiori e una robusta capacità a valanga.
La serie GreenMOS® Generic è ottimizzata per prestazioni di commutazione estreme per ridurre al minimo le perdite di commutazione. È progettato per applicazioni ad alta densità di potenza per soddisfare i più elevati standard di efficienza.
Caratteristiche
RDS( ON) E FOM BASSI
Perdita di commutazione estremamente bassa
Stabilità e uniformità eccellenti
Applicazioni
Alimentazione PC
Illuminazione a LED
Potenza per le telecomunicazioni
Alimentazione del server
Caricabatteria EV
Solare/UPS
Parametri chiave delle prestazioni
| Parametro | Valore | Unità |
| VDS, min @ Tj(max) | 600 | V |
| ID , polso | 60 | R |
| RDS(ON) , MAX @ VGS=10V | 190 | MΩ |
| QG | 17.7 | NC |
Valori nominali massimi assoluti a Tj=25°C, salvo diversa indicazione
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Tensione drain-source | VDS | 550 | V |
| Tensione gate-source | VGS | ±30 | V |
| Corrente di scarico continuo1), TC=25 °C. | ID | 20 | R |
| Corrente di scarico continuo1), TC=100 °C. | 12.5 | ||
| Corrente di scarico pulsata2), TC=25 °C. | ID , polso | 60 | R |
| Corrente continua di diodo in avanti 1), TC=25 °C. | È | 20 | R |
| Diodo a impulsi corrente 2), TC=25 °C. | È, impulso | 60 | R |
| Dissidenza di alimentazione3), TC=25 °C. | PD | 32 | W |
| Energia a valanghe pulsata5) | EAS | 200 | MJ |
| Resistenza dv/dt MOSFET, VDS=0…480 V. | dv/dt | 50 | V/ns |
| Diodo retromarcia dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 15 | V/ns |
| Temperatura di funzionamento e di stoccaggio | Tstg , Tj | da -55 a 150 | °C |
Caratteristiche termiche
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Resistenza termica, scatola di giunzione | RθJC | 3.9 | °C/W |
| Resistenza termica, ambiente di giunzione 4) | RθJA | 62.5 | °C/W |
Caratteristiche elettriche a Tj=25°C , salvo diversamente specificato
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Tensione di scarica-sorgente di scarica | BVDSS | 550 | V | VGS=0 V, ID=250 UA | ||
| 600 | VGS=0 V, ID=250 uA, Tj=150 °C. | |||||
| Soglia gate tensione | VGS(th) | 2.7 | 3.7 | V | VDS=VGS , ID=250 UA | |
| Resistenza di stato di attivazione drain-source | RDS(ON) | 0.15 | 0.19 | Ω | VGS=10 V, ID=10 A. | |
| 0.37 | VGS=10 V, ID=10 A, TJ=150 °C. | |||||
| Gate-source corrente di dispersione | IGS | 100 | Na | VGS=30 V. | ||
| -100 | VGS=-30 V. | |||||
| Scarico-sorgente corrente di dispersione | IDS | 1 | μA | VDS=550 V, VGS=0 V. |
Caratteristiche di carica del gate
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Costo totale gate | QG | 17.7 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=10 A. | ||
| Carica gate-source | DGS | 4 | NC | |||
| Carica gate-drain | QGD | 7.2 | NC | |||
| Tensione plateau gate | Vplateau | 5.7 | V |
Caratteristiche del diodo corpo
| Parametro | Simbolo | Min. | Tip. | Max. | Unità | Condizione di prova |
| Tensione di avanzamento diodo | VSD | 1.3 | V | IS=20 A, VGS=0 V. | ||
| Tempo di recupero inverso | trr | 237.7 | n/s | VR=400 V, IS=10 A, Di/dt=100 A/μs | ||
| Carica di recupero inversa | Qr | 2.6 | μC | |||
| Corrente di recupero inversa di picco | Irrm | 21.1 | R |
Nota
1) corrente continua calcolata in base alla temperatura massima ammissibile della giunzione.
2) valore nominale ripetitivo; ampiezza impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
3) Pd si basa sulla temperatura di giunzione massima, utilizzando la resistenza termica della scatola di giunzione.
4) il valore di RθJA viene misurato con il dispositivo montato su una scheda FR-4 1 in 2 con 2oz. Rame , in ambiente tranquillo con Ta=25°C.
5) VDD=100 V, VGS=10 V, L=10 MH, Tj iniziale =25 °C.
Informazioni per l'ordinazione
| Pacchetto Tipo | Unità/ Tubo | Tubi / Scatola interna | Unità/ scatola interna | Scatole interne/ scatola in cartone | Unità/ scatola in cartone |
| TO220F-C. | 50 | 20 | 1000 | 6 | 6000 |
| TO220F-J. | 50 | 20 | 1000 | 5 | 5000 |
Informazioni sul prodotto
| Prodotto | Pacchetto | Senza piombo | RoHS | Senza alogeni |
| OSG55R190FF | TO220F | sì | sì | sì |
Catena di fornitura
Dichiarazione di prodotto verde
