NCE fornisce MOSFET di potenza serie SGT-i a canale N con livelli di tensione di scarica distruttiva compresi tra 30 V e 250 V. La tecnologia NCE e l'eccellente gestione della qualità garantiscono prestazioni e affidabilità eccellenti del prodotto e forniscono soluzioni convenienti riducendo al contempo le difficoltà di progettazione del sistema. Sono ampiamente utilizzati nella rettifica sincrona negli alimentatori switching (SMPS), nel controllo di motori c.c., nei micro inverter solari, negli alimentatori per telecomunicazioni e server e negli alimentatori continui (UPS). Per quanto riguarda la progettazione di alimentatori, i progettisti devono affrontare la duplice sfida di migliorare l'efficienza del sistema e la densità di potenza riducendo i costi del sistema, i nuovi MOSFET di potenza serie SGT-i a canale N Clean Energy possono realizzare una commutazione veloce e difficile grazie all'eccellente resistenza in stato attivo ( _RDS(ON)) e al fattore di qualità (FOM, _{RDS(on) xQg} ), che migliora notevolmente l'efficienza dell'applicazione, e diventa la soluzione perfetta per questa sfida.

La gamma di MOSFET di potenza serie SGT-i a canale N include TO-220, TO-252, TO-247, TO-263, TO-251, TOLL, DFN5*6, DFN3*3 e SOP-8, che forniscono ai progettisti opzioni di personalizzazione più ampie e flessibili.

Nota: I MOSFET SGT sono anche noti come MOSFET Super Trench.