Sistemi fotovoltaici contenitore TO252 Osg80r900df MOSFET di potenza a canale N da 800 W e 900 V.

Certificazione: RoHS, ISO
Forma: Metallo porcellana Tubo
Tipo schermatura: Sharp taglio schermatura del tubo

Products Details

  • Panoramica
  • Descrizione del prodotto
Panoramica

Informazioni di Base.

Model No.
OSG80R900DF
Struttura
Planar
incapsulamento Struttura
Plastic Transistor Sealed
Livello di potenza
Medium Power
Materiale
Silicio
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
35x30x37cm
Marchio
Orientalsemi
Origine
Repubblica Popolare Cinese
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
Over 1K/Month

Descrizione del Prodotto

Descrizione del prodotto

Descrizione generale
Il MOSFET ad alta tensione utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per ottenere una resistenza all'accensione eccezionale e una carica di gate inferiore. È progettato per ridurre al minimo le perdite di conduzione, fornire prestazioni di commutazione superiori e una robusta capacità a valanga.  La serie Generic è ottimizzata per prestazioni di commutazione estreme per ridurre al minimo le perdite di commutazione. È progettato per applicazioni ad alta densità di potenza per soddisfare i più elevati standard di efficienza.


Caratteristiche
      RDS( ON) E  FOM BASSI
         Perdita di commutazione estremamente bassa
      Stabilità e    uniformità eccellenti

Applicazioni
       Illuminazione a LED
     Potenza per telecomunicazioni
      Solare/UPS
      Potenza del server
   Alimentazione PC
   Caricabatteria EV

 

Photovoltaic Systems To252 Package Osg80r900df N-Channel 800W 900V Power Mosfet

 

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Catena di fornitura

Photovoltaic Systems To252 Package Osg80r900df N-Channel 800W 900V Power Mosfet



Dichiarazione di prodotto verde

Photovoltaic Systems To252 Package Osg80r900df N-Channel 800W 900V Power Mosfet
 


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