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Informazioni di Base.
Descrizione del Prodotto
Transistor di potenza NPN al silicio G10N06 60 V 10 a MOS
| Numero di parte | G10N06 |
| VDSS | 60 V. |
| ID | 10 A. |
| RDS | 11 mΩ @ vgs=10 V. |
| Vth | 1,8 V. |
| Pacchetto | SOP-8 |
| CISS | 2180 pF |
| CRS | 270 pF |
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Siamo produttori professionali di R&D di prodotti MOSFET.GOFORD SEMICONDUCTOR ha si è sviluppata in un'azienda globale
Con uffici in USA, Hong Kong, Australia, Shenzhen e Jiang su.
Abbiamo anche costruito relazioni lunghe e buone con le grandi fabbriche di Fab sia in Cina che all'estero. La nostra forza è nella ricerca e sviluppo, bene
Rapporto con fabbriche Fab e buona capacità di marketing.
Forniamo un supporto tecnico forte per i nostri prodotti. Con un volume elevato di vendite, possiamo garantire la buona competitività sia in
qualità e prezzo. Vorremmo lavorare con amici in tutto il mondo.
Le nostre applicazioni di prodotto sono: Controllo motore, adattatore o caricabatterie per telefono cellulare, sigarette elettroniche, illuminazione a LED, dimmeraggio e ripple
Applicazione di rimozione, alimentatore mobile, circuito sincrono, circuito di rettifica, e-tools e up o inverter, elettronica digitale, ecc.
1. MOSFET specialista e professionale.
2. Forte R & S, con team sia a Silicon Valley U.S.A che a Shenzhen, Guangdong.
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