Transistor IGBT di potenza a canale N in modalità di ottimizzazione

Certificazione: RoHS, ISO
Forma: ST
Tipo schermatura: A distanza di Cut-Off di schermatura del tubo

Products Details

  • Panoramica
  • Descrizione del prodotto
Panoramica

Informazioni di Base.

Model No.
To247 OST20N135HRF
Struttura
Diffusione
incapsulamento Struttura
Plastic Transistor Sealed
Livello di potenza
Medium Power
Materiale
Silicio
applicazione 1
riscaldamento a induzione
applicazione 2
applicazioni di commutazione soft
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
TO247
Marchio
Orientalsemi
Origine
Repubblica Popolare Cinese
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
Over 1K/Month

Descrizione del Prodotto

 
Descrizione del prodotto

 Descrizione generale

OST20N135HRF utilizza la tecnologia avanzata TGBTTM (Trident-Gate Bipolar transistor) brevettata Oriental-semi per fornire un VCE (sat) estremamente basso, bassa carica di gate e eccellenti prestazioni di commutazione. Questo dispositivo  è adatto per  applicazioni di riscaldamento a induzione risonante.



  Valori nominali massimi assoluti  a  Tj  =25ºC , salvo  diversa  indicazione   

Parametro Simbolo Valore Unità
  Tensione emettitore collettore VCES 1350 V
  Tensione emettitore gate
VGES
±20 V
   Tensione emettitore gate transiente, TP  ≤10µs, D<0.01   ±30 V
  Collettore continuo corrente 1), TC  =25 ºC
IC
40
R
  Collettore continuo corrente 1), TC  =100 ºC   20  
  Collettore a impulsi current2), TC  =25 ºC IC, impulso 60 R
Diodo  marcia avanti  corrente 1), TC  =25 ºC
SE
40
R
Diodo  marcia avanti  corrente 1), TC  =100 ºC   20  
  Diodo a impulsi current2), TC  =25 ºC SE , pulsare 60 R
 Dissidente di potenza3), TC  =25 ºC
PD
290 W
 Dissidente di potenza3), TC  =100 ºC   145 W
   Temperatura di funzionamento e di stoccaggio Tstg , Tj da -55 a 150 ºC



 Caratteristiche termiche
Parametro Simbolo Valore Unità
  Resistenza termica IGBT, scatola di giunzione RθJC 0.43 C/W
  Resistenza termica del diodo, scatola di giunzione RθJC 0.43 C/W
 Resistenza termica, ambiente di giunzione 4) RθJA 40 C/W



 Caratteristiche elettriche  a  Tj  =25 ºC  se   non diversamente specificato
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità  Condizione di prova
  Tensione di scarica distruttiva collettore-emettitore V(BR)CES 1350     V VGE=0 V, IC  =0.5 MA


  Tensione di saturazione collettore-emettitore


VCE(sat)
  1.6 1.8 V VGE  =15  V, IC =20 A.
      1.8 2.2 V VGE  =15 V, IC =25 A.
      1.9   V VGE  =15  V, IC =20 A,
TJ  =150 ºC
  Tensione di soglia gate-emettitore VGE(th) 5.1 5.8 6.4 V VCE  =VGE, ID =0.5 MA

Tensione di avanzamento diodo

VF
  1.5 1.7
V
VGE =0 V, SE =20 A.
      1.9     VGE  =0 V , SE =20 A,
TJ  =150 ºC
  Corrente di dispersione gate-emettitore IGES     100 Na VCE  =0 V, VGE =20 V.
  Corrente collettore tensione gate zero CIEM     10 μA VCE  = 1350 V, VGE = 0 V.



 Caratteristiche dinamiche
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità  Condizione di prova
Capacità di ingresso CIS   3907   PF VCE  = 25 V,
VGE  = 0 V,
ƒ=100 KHz
Capacità di uscita Coes   51.3   PF
Capacità di trasferimento inversa Cres   2.6   PF
  Tempo di ritardo di attivazione td(on)   48   n/s
VCC=600 V,
IC  =20 A,
VGE  = 15 V,
RG =10 Ω
  Ritardo di disattivazione td(off)   144   n/s
Tempo di caduta tf   235   n/s
Spegnere  l'energia Eoff   1.0   MJ



  Caratteristiche di carica del gate
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità  Condizione di prova
  Costo totale gate QG   71.5   NC IC  =20 A,
VCC  = 1080 V,
VGE=15 V
 Carica gate-emettitore QGE   15.4   NC
 Carica gate-collector QG   32.8   NC



Nota
1)      corrente continua calcolata  in base      alla temperatura massima ammissibile della giunzione.
2)     valore nominale ripetitivo, ampiezza di impulso limitata dalla temperatura massima di giunzione.
3)     Pd   si basa  sulla  temperatura massima di giunzione, utilizzando la resistenza termica del contenitore di giunzione.
4)    il  valore  di  RθJA   viene  misurato  con  il  dispositivo  montato  su   una scheda FR-4 1 in 2  con 2oz. Rame, in  un ambiente ad aria ferma con Ta  =25 °C.



 Informazioni per l'ordinazione
Pacchetto Unità/tubo Provette/ scatola interna Unità/ scatola interna  Scatola interna/ scatola in cartone Unità/scatola di cartone  
TO247 30 11 330 6 1980



 Informazioni sul prodotto
Prodotto Pacchetto Senza piombo   RoHS  Senza alogeni
OST20N135HRF TO247



 
Alimentazione Chian

Enhancement Mode N-Channel Power IGBT Transistor


Dichiarazione di prodotto verde

Enhancement Mode N-Channel Power IGBT Transistor

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