Transistor RF bipolare Bfp196 a bassa rumorosità Bfp196wh6327xtsa1

Tipo conduttivo: Circuito integrato unipolare
Integrazione: GSI
Tecnica: silicio

Products Details

Informazioni di Base.

Model No.
BFP196WH6327XTSA1
polarità del transistor
npn
utilizzare
sensore radar
forma
piatto
Pacchetto di Trasporto
Standard Packaging
Specifiche
NPN microwave low noise transistor
Marchio
CHN
Origine
Chn

Descrizione del Prodotto


Bfp196 Low Noise Bipolar RF Transistor Bfp196wh6327xtsa1

 

Bfp196 Low Noise Bipolar RF Transistor Bfp196wh6327xtsa1
Transistor RF bipolare a basso rumore BFP196
• per amplificatori a banda larga a bassa distorsione e bassa rumorosità in antenne e sistemi di telecomunicazione fino a 1.5 GHz a correnti di collettore da 20 ma a 80 ma
• amplificatore di potenza per sistemi DECT e PCN
• ft = 7.5 GHz, NFmin = 1.3 dB a 900 MHz
• senza piombo (conforme a RoHS) e contenitore senza alogeni con cavi visibili
• disponibile un rapporto di qualificazione secondo AEC-Q101

Bfp196 Low Noise Bipolar RF Transistor Bfp196wh6327xtsa1


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